КТ872В (N-P-N транзистор)

Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 600(1200) В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 600(1200) В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 8000(15000) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (100) Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>6 Обратный ток коллектора <=600 мкА Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 7 МГц Коэффициент шума биполярного транзистора <1 дБ