Транзистор 13001 (NPN, 0.2А, 400В)

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.9 Вт Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 500 В Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 400 В Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 В Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.5 A Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 8 МГц Ёмкость коллекторного перехода (Cc): пФ Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 10